ref：Reliable Operation of SiC JFET Subjected to Over 2.4 Million 1200-V/115-A Hard Switching Events at 150 ◦C
测试的波形与机构
- 没有画电源，电容在充能完毕后释放
- 频率由充电电路的RCtime 决定
- inductance被minimal为250nH
- gate trigger尽可能的快速切换gate电压
结论是，峰值电流达到了2500W/cm2左右，burn-in还提高了conductionenergy
ref：Stacked Strongly Coupled GaN/SiC Cascode Device With Fast Switching and Reclaimed Strong dv/dt Control
在描述动态响应时，有这几个电容 - Cin输入电容，从Gate端出发的电容（GD+GS）
- Cout输出电容，从Drain端出发的电容（DS+DG）
- Crss Gate和Drain之间的电容，它可能在开启时影响Gate的电压从而参与到软开关中
动态的东西过段时间再看