随便看看，能起到开拓视野舒筋活血的作用
ref：Modeling and analyzing near-junction thermal transport in high-heat-flux GaN devices heterogeneously integrated with diamond
半桥电路，简单得无以复加的Vd-HS-LS-GND，可以实现简单的方波输出
crossatalk现象
当GND相对于Vsw低压时，在HS区域可能回耗尽SH下的2DEG
trench屏蔽了电场，金属末端的pn结则维持了substrate以上电压的稳定
当Vin很大时，无论哪个hemt关断，都能通过经书末端的PN结注入，然后在对侧的substrate实现雪崩击穿
绿色为起效的diode
这个增加的反偏diode（耗尽区）会增加Cout，文中测量为0.12nF/cm2.为650-V GaN transistor输出电容典型值的10%
ref：A Monolithic Bi-Directional GaN/SiC Hybrid Field-Effect Transistor
transistor只能实现单边的（VDS）的栅控。想要实现对交流信号的控制，就要避免通路中只有一个PN结的情况
将D短接，相当于出现两个串联的方向相反的二极管，这样当电流通路将完全由gate控制，从而实现对交流的信号控制