真得沉淀
ref:Advanced Methodology for Fast 3-D TCAD Device/Circuit Electrothermal Simulation and Analysis of Power HEMTs
用analytical模型,2D-3D耦合仿真热,使用sentarus,参考意义不大(10年前了)
ref:Hybrid Monte Carlo-Diffusion Studies of Modeling SelfHeating in Ballistic-Diffusive
Regime for Gallium Nitride HEMTs
比较了水动力蒙特卡洛(一种简化的蒙特卡洛算法)和面热源法的关系,结论是水动力可以很好的预测,while我们已经知道面热源法对结温的预测是不足的
ref:Implications of Interfacial Thermal Transport on the Self-Heating of GaN-on-SiC High Electron Mobility Transistors
测量界面热阻
讲的优化方向,时间不够不看了
ref:Near-junction phonon thermal spreading in GaN HEMTs: A comparative study of simulation techniques by full-band phonon Monte Carlo method
杨哥写的,结论是傅里叶传热依然坚挺
ref:Transient simulations and theoretical modeling of near-junction heat conduction in GaN-on-diamond HEMT
研究交流产热
用了究极简化手法
是我需要的,在comsol中使用自由四面体网格,
这篇文章的supply material 非常重要!
对pulse和峰值温度的一些分析
其实是特别好的信号,它终于tmd证明了,在微秒级的波形变化下,热是来不及散出去的,甚至calibration也有思路了,可以假设在pulse时间内温度线性提升,这样就是一种简单的two-way电热耦合了
接下来要看的东西实际上是thermal penetration depth,文中把depth定义为ΔT<5%的depth,且文中的gap为200um
但是,GaN因为1)热导比SiC小,2)热点集中,初期扩散热阻占绝对的大头。
再回来看看cascode测试的频率:没写,可以问问,但极大概率是够用的;
参数设置这些要好好学
ref:An Accurate Electrical and Thermal Co-Simulation Framework for Modeling High-Temperature DC and Pulsed I-V Characteristics of GaN HEMTs
结温建模包含了interface和界面
引入C为了compensate UID n, Fe为了增加reverse recovery,Fe下去仔细研究
UID过高失去整流特性;过低则对亚阈值的拟合失效
- 因为HEMT中是majority carrier transport, SRH recombination is negligible
看下给的mobility model
gate leakage only consider thermionic emission (我好像不是很care gate leakage)
electrode thermally insulating 会影响准确性,pading的导热率很重要
有参数
ref:Electro-thermo-mechanical Transient Modeling of Stress Development in AlGaN/GaNHigh Electron Mobility Transistors (HEMTs)
the stress under RF conditions
用一个热阻来模拟下面的封装,热阻根据thermal模型拟合而来
好像也行
Gate FP附近的电场分布,挺有意思的结果,VDS更高时,FP的边缘出现更密的电场,在相同功率下,反而VDS更高时,峰值温度更低hhh
一样的问题,没有考虑多周期,避重就轻
ref:Optimization based on electro-thermo-mechanical modeling of the high electron mobility transistor (HEMT)
作为dataset,里面有仿真参数
ref:Numerical Modeling of Dynamic Thermal Coupling in GaN HEMTs Calibrated by Transient Measurements
和我预想的一样50interval的pulse连续施加,这篇文章的参数和网格密度依然可以参考
这种图还可以翻译为-扩散热阻占了大多数